Коэффициент инжекции эмиттерного перехода у в дрейфовых транзисторах ниже, чем в бездрейфовых, за счет того, ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Евсеев Ю.А. Силовые полупроводниковые приборы


Коэффициент инжекции эмиттерного перехода у в дрейфовых транзисторах ниже, чем в бездрейфовых, за счет того, что поле создается в результате неравномерного распределения примеси в базе, причем у эмиттерного перехода проводимость возрастает, в результате чего в соответствии с (4.33) Y уменьшается. Непостоянная концентрация примеси в базовой области затрудняет расчет у также в связи с тем, что имеет место зависимость коэффициента диффузии носителей заряда от концентрации примесей.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Коэффициент инжекции эмиттерного перехода у в дрейфовых транзисторах ниже,  чем в бездрейфовых,  за счет того,  что поле создается в результате неравномерного распределения примеси в базе,  причем у эмиттерного перехода проводимость возрастает,  в результате чего в соответствии с (4.33) Y уменьшается.  Непостоянная концентрация примеси в базовой области затрудняет расчет у также в связи с тем,  что имеет место зависимость коэффициента диффузии носителей заряда от концентрации примесей.