Выдержка из книги
Евсеев Ю.А.
Силовые полупроводниковые приборы
Коэффициент инжекции эмиттерного перехода у в дрейфовых транзисторах ниже, чем в бездрейфовых, за счет того, что поле создается в результате неравномерного распределения примеси в базе, причем у эмиттерного перехода проводимость возрастает, в результате чего в соответствии с (4.33) Y уменьшается. Непостоянная концентрация примеси в базовой области затрудняет расчет у также в связи с тем, что имеет место зависимость коэффициента диффузии носителей заряда от концентрации примесей.