Шоттки и р-я-переходом, изготовленные из пленок Si, нанесенных на стальные подложки методом химического осаждения из ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа
Выдержка из книги
Чопра К.N.
Тонкопленочные солнечные элементы
Шоттки и р-я-переходом, изготовленные из пленок Si, нанесенных на стальные подложки методом химического осаждения из паровой фазы, обладают плохими диодными характеристиками. Диодный коэффициент элементов с р-я-переходом и барьером Шоттки, рассчитанный исходя из прямых вольт-амперных характеристик, равен соответственно 3 9 и 2 8, тогда как для монокристаллических элементов с р-я-переходом значение этого коэффициента составляет 1 8, а для идеальных барьеров Шоттки-1. В тонкопленочных элементах с р-я-пе-реходом плотность обратного тока насыщения на несколько порядков величины выше, чем в монокристаллических элементах, имеющих аналогичный профиль распределения примесей, а в солнечных элементах с барьером Шоттки - существенно больше, чем в элементах с р-я-переходом. Большие обратные токи в тонкопленочных элементах, создаваемых на подложках из стали, связаны с малым размером зерен в пленках Si и наличием механических напряжений в области перехода. В случае использования кремниевых пленок, нанесенных на подложки из графита [20], элементы обладают лучшими выпрямляющими свойствами. Значение диодного коэффициента, найденное из прямых вольт-амперных характеристик данных элементов и равное - 1 9, сравнимо с его значением в монокристаллических элементах, что свидетельствует о слабом влиянии границ зерен в этих пленках на процесс протекания тока.
![Шоттки и р-я-переходом, изготовленные из пленок Si, нанесенных на стальные подложки методом химического осаждения из паровой фазы, обладают плохими диодными характеристиками. Диодный коэффициент элементов с р-я-переходом и барьером Шоттки, рассчитанный исходя из прямых вольт-амперных характеристик, равен соответственно 3 9 и 2 8, тогда как для монокристаллических элементов с р-я-переходом значение этого коэффициента составляет 1 8, а для идеальных барьеров Шоттки-1. В тонкопленочных элементах с р-я-пе-реходом плотность обратного тока насыщения на несколько порядков величины выше, чем в монокристаллических элементах, имеющих аналогичный профиль распределения примесей, а в солнечных элементах с барьером Шоттки - существенно больше, чем в элементах с р-я-переходом. Большие обратные токи в тонкопленочных элементах, создаваемых на подложках из стали, связаны с малым размером зерен в пленках Si и наличием механических напряжений в области перехода. В случае использования кремниевых пленок, нанесенных на подложки из графита [20], элементы обладают лучшими выпрямляющими свойствами. Значение диодного коэффициента, найденное из прямых вольт-амперных характеристик данных элементов и равное - 1 9, сравнимо с его значением в монокристаллических элементах, что свидетельствует о слабом влиянии границ зерен в этих пленках на процесс протекания тока.](/pic/3097730Fu6Qw5V0024263139.png)