Выдержка из книги
Степаненко И.П.
Основы теории транзисторов и транзисторных схем Изд3
Заметим, что выражение ( 4 - 27) и вывод относительно главной рол. При высоких уровнях инжекции удель ное сопротивление активной базы заметно уменьшается, так что ре зультирующая величина гб становится близкой к сопротивлению пас сивной области.
