Выдержка из книги
Фаренбрух А.N.
Солнечные элементы
Такие расчеты были выполнены для освещенного диода ( при прямом напряжении смещения), для которого на рис. 1.8 приведена кривая распределения концентрации носителей с учетом эффекта ограничения их скорости вследствие рассеяния. Полученные результаты представлены на рис. 2.7. Поскольку фотогенерированные носители заряда являются горячими по отношению к кристаллической решетке, уровень EFn должен лежать несколько ниже, чем показано на рисунке.
