Такие расчеты были выполнены для освещенного диода ( при прямом напряжении смещения), для которого на ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Фаренбрух А.N. Солнечные элементы


Такие расчеты были выполнены для освещенного диода ( при прямом напряжении смещения), для которого на рис. 1.8 приведена кривая распределения концентрации носителей с учетом эффекта ограничения их скорости вследствие рассеяния. Полученные результаты представлены на рис. 2.7. Поскольку фотогенерированные носители заряда являются горячими по отношению к кристаллической решетке, уровень EFn должен лежать несколько ниже, чем показано на рисунке.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Такие расчеты были выполнены для освещенного диода ( при прямом напряжении смещения),  для которого на рис. 1.8 приведена кривая распределения концентрации носителей с учетом эффекта ограничения их скорости вследствие рассеяния.  Полученные результаты представлены на рис. 2.7. Поскольку фотогенерированные носители заряда являются горячими по отношению к кристаллической решетке,  уровень EFn должен лежать несколько ниже,  чем показано на рисунке.