Выдержка из книги
Пикус Г.Е.
Основы теории полупроводниковых приборов
Рассматривая работу выпрямителя с р - га-переходом, мы видели, что при прохождении тока в пропускном направлении концентрация неосновных носителей вблизи перехода значительно повышается. Избыточные носители, например дырки, перешедшие из / ( - области в п-область, диффундируя, распространяются в глубь n - области. В результате сопротивление части n - области, примыкающей к р - и-переходу, понижается. Если концентрация неосновных носителей - дырок - при этом остается меньше концентрации электронов, то общее изменение сопротивления n - области остается небольшим, хотя концентрация дырок может увеличиться в тысячи раз по сравнению с равновесной. Если в л-области имеется рядом с первым еще один р - n - переход, включенный в запорном направлении ( рис. 56), то ток через него, определяемый концентрацией неосновных носителей - дырок, резко возрастает.