Выдержка из книги
Викулин И.М.
Физика полупроводниковых приборов
С дальнейшим увеличением тока эмиттера происходит рост / i2i6 по следующей причине. При инжекции дырок в базу р-п-р-транзистора для сохранения электронейтральности через вывод базы входит такое же количество электронов. Распределение электронов повторяет распределение дырок ( рис. 3.1 б) так же, как это происходит в базе диода. Неравновесные электроны не могут диффундировать под действием градиента концентрации от эмиттера к коллектору, так как из эмиттера нет притока электронов и нарушится электронейтральность базы вблизи эмиттера.
