Выдержка из книги
Ступельман В.Ш.
Полупроводниковые приборы
Действительно, все активные области транзистора расположены в слое 5 - 10 мкм от поверхности. Но по соображениям механической прочности невозможно работать с кристаллами тоньше 100 мкм. Поэтому сопротивление толщи кремния, превышающее 5 - 10 мкм, является паразитным. Выбор величины удельного сопротивления исходного материала основывается на достижении требуемой величины пробивного напряжения, а также допустимой емкости коллекторного перехода.
