С появлением в цепи база-эмиттер транзистора Т1 отрицательной полуволны напряжения полезного сигнала в коллекторной пепи ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Баркан В.Ф. Радиоприемные устройства Издание 5


С появлением в цепи база-эмиттер транзистора Т1 отрицательной полуволны напряжения полезного сигнала в коллекторной пепи этого транзистора возникает импульс тока, который будет проходить по цепи от плюса источника питания через сопротивление нагрузки, разделительный конденсатор и промежуток эмиттер - коллектор. В цепи база-эмиттер транзистора Т2 в это время действует положительная полуволна напряжения полезного сигнала, под воздействием которой запирается и цепь базы этого транзистора, и его коллекторная цепь. По мере возрастания коллекторного тока возрастает и напряжение на нагрузке, а напряжение на участке эмиттер-коллектор, транзистора Т1 умА) ь-шается. Емкость разделительного конденсатора должна быть достаточно большой, чтобы конденсатор не получал заметного дополнительного заряда за время, равное половине периода напряжения сигнала нижней частоты FH диапазона.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

С появлением в цепи база-эмиттер транзистора Т1 отрицательной полуволны напряжения полезного сигнала в коллекторной пепи этого транзистора возникает импульс тока, который будет проходить по цепи от плюса источника питания через сопротивление нагрузки, разделительный конденсатор и промежуток эмиттер - коллектор. В цепи база-эмиттер транзистора Т2 в это время действует положительная полуволна напряжения полезного сигнала, под воздействием которой запирается и цепь базы этого транзистора, и его коллекторная цепь. По мере возрастания коллекторного тока возрастает и напряжение на нагрузке, а напряжение на участке эмиттер-коллектор, транзистора Т1 умА) ь-шается. Емкость разделительного конденсатора должна быть достаточно большой, чтобы конденсатор не получал заметного дополнительного заряда за время, равное половине периода напряжения сигнала нижней частоты FH диапазона.