На рис. 5, ж показано распределение концентрации носителей в полупроводнике с р-л-переходом. Концентрация дырок - ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа
Выдержка из книги
Мелешкина Л.П.
Руководство к лабораторным работам по основам промышленной электроники
На рис. 5, ж показано распределение концентрации носителей в полупроводнике с р-л-переходом. Концентрация дырок - рро в р-области, где они являются основными носителями, на несколько порядков превышает концентрацию дырок рло в п-области, где они являются неосновными носителями.
