Выдержка из книги
Малаев В.А.
Расчет и проектирование импульсных устройств
Процесс нарастания напряжения на емкости Ся связан с зарядом этой емкости эмит-терным током транзистора Г2, находящегося в активном оежиме, при запертых транзисторах TI и Т3 ( ск.