В двойной гетероструктуре на основе того же тройного соединения QaAlAs возможно увеличение концентрации легирующей акцепторной ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Шарупич Л.С. Оптоэлектроника


В двойной гетероструктуре на основе того же тройного соединения QaAlAs возможно увеличение концентрации легирующей акцепторной примеси NH при постоянной толщине базовой области. За счет этого растет граничная частота, но одновременно увеличивается туннельная компонента прямого тока, а внешний квантовый выход ц уменьшается. Существует некоторое оптимальное значение Na, при котором достигается максимальное произведение TI / VP, представляющее собой обобщенный показатель эффективности излучателя в оптроне.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

В двойной гетероструктуре на основе того же тройного соединения QaAlAs возможно увеличение концентрации легирующей акцепторной примеси NH при постоянной толщине базовой области.  За счет этого растет граничная частота,  но одновременно увеличивается туннельная компонента прямого тока,  а внешний квантовый выход ц уменьшается.  Существует некоторое оптимальное значение Na,  при котором достигается максимальное произведение TI / VP,  представляющее собой обобщенный показатель эффективности излучателя в оптроне.