Выдержка из книги
Грибковский В.П.
Теория поглощения и испускания света в полупроводниках
Бром в силу большей химической активности, чем индий, при внедрении в решетку способствует образованию более дефектной структуры кристалла. С понижением температуры роль колебаний решетки уменьшается, и в легированном полупроводнике рассеяние носителей будет происходить в основном на примесных центрах.
