Транзистор с барьером Шоттки имеет следующую структуру. На полуизолирующей арсенид-галлиевой подложке толщиной несколько десятков микрон ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа
Выдержка из книги
Петухов В.М.
Транзисторы полевые Выпуск 37
Транзистор с барьером Шоттки имеет следующую структуру. На полуизолирующей арсенид-галлиевой подложке толщиной несколько десятков микрон выращен эпитаксиальный слой также арсенида галлия га-типа проводимости толщиной от одного до нескольких десятых долей микрона. С эпитаксиальным слоем созданы омические контакты истока и стока, между которыми располагается выпрямляющий контакт затвора.