Транзистор с барьером Шоттки имеет следующую структуру. На полуизолирующей арсенид-галлиевой подложке толщиной несколько десятков микрон ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Петухов В.М. Транзисторы полевые Выпуск 37


Транзистор с барьером Шоттки имеет следующую структуру. На полуизолирующей арсенид-галлиевой подложке толщиной несколько десятков микрон выращен эпитаксиальный слой также арсенида галлия га-типа проводимости толщиной от одного до нескольких десятых долей микрона. С эпитаксиальным слоем созданы омические контакты истока и стока, между которыми располагается выпрямляющий контакт затвора.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Транзистор с барьером Шоттки имеет следующую структуру.  На полуизолирующей арсенид-галлиевой подложке толщиной несколько десятков микрон выращен эпитаксиальный слой также арсенида галлия га-типа проводимости толщиной от одного до нескольких десятых долей микрона.  С эпитаксиальным слоем созданы омические контакты истока и стока,  между которыми располагается выпрямляющий контакт затвора.