Выдержка из книги
Пруслин З.М.
Радиотехника и электроника
Вблизи р - n - перехода происходит рекомбинация - электроны занимают дырки. Вследствие этого в пограничном слое количество свободных носителей заряда резко уменьшается, что увеличивает сопротивление пограничных слоев пар полупроводников. Область повышенного сопротивления называется запирающим слоем.