Вблизи р - n - перехода происходит рекомбинация - электроны занимают дырки. Вследствие этого в ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Пруслин З.М. Радиотехника и электроника


Вблизи р - n - перехода происходит рекомбинация - электроны занимают дырки. Вследствие этого в пограничном слое количество свободных носителей заряда резко уменьшается, что увеличивает сопротивление пограничных слоев пар полупроводников. Область повышенного сопротивления называется запирающим слоем.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Вблизи р - n - перехода происходит рекомбинация  -  электроны занимают дырки.  Вследствие этого в пограничном слое количество свободных носителей заряда резко уменьшается,  что увеличивает сопротивление пограничных слоев пар полупроводников.  Область повышенного сопротивления называется запирающим слоем.