Потенциальный барьер на переходе при прямом смещении, как было отмечено выше, уменьшается и становится равным ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа
Выдержка из книги
Евсеев Ю.А.
Силовые полупроводниковые приборы
Потенциальный барьер на переходе при прямом смещении, как было отмечено выше, уменьшается и становится равным ффк - UF. Если в (1.11) вместо рк подставить значение q, то легко убедиться, что толщина слоя объемного заряда перехода уменьшается с ростом прямого напряжения. Барьерная же емкость перехода согласно (1.12) будет при этом расти.
