Барьерные емкости эмиттерных переходов являются причиной появления емкостных токов через эти переходы при быстром изменении ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа
Выдержка из книги
Пасынков В.В.
Полупроводниковые приборы
Барьерные емкости эмиттерных переходов являются причиной появления емкостных токов через эти переходы при быстром изменении основного напряжения на тиристоре. Емкостные токи не связаны с инжекцией носителей заряда, поэтому с увеличением скорости изменения основного напряжения включение тиристора должно происходить при напряжениях, больших 6 / вкло ( рис. 5.10), если учитывать только барьерные емкости эмиттерных переходов.
