При заданных интенсивности освещения и температуре величина k определяется расстоянием уровня ловушек от края с ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа
Выдержка из книги
Рывкин С.М.
Фотоэлектрические явления в полупроводниках
При заданных интенсивности освещения и температуре величина k определяется расстоянием уровня ловушек от края с - или щ-зоны, причем из (26.1) и (26.2) следует, что ловушки, располагающиеся вблизи краев зон, имеют большую вероятность оказаться центрами прилипания, а ловушки, находящиеся в центральной части запрещенной зоны, играют роль центров рекомбинации.
