Согласно выражению ( 3) концентрацию неосновных носителей на границах p - n - перехода можно ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Мелешкина Л.П. Руководство к лабораторным работам по основам промышленной электроники


Согласно выражению ( 3) концентрацию неосновных носителей на границах p - n - перехода можно принять равной нулю уже при Иь 0 1 В. При дальнейшем увеличении иъ ( по абсолютному значению) распределение концентрации носителей вне p - n - перехода не изменяется, следовательно, вне р-л-перехода при изменении напряжения заряд не изменяется, поэтому диффузионная емкость при обратном напряжении мала.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Согласно выражению ( 3) концентрацию неосновных носителей на границах p - n - перехода можно принять равной нулю уже при Иь 0 1 В.  При дальнейшем увеличении иъ ( по абсолютному значению) распределение концентрации носителей вне p - n - перехода не изменяется,  следовательно,  вне р-л-перехода при изменении напряжения заряд не изменяется,  поэтому диффузионная емкость при обратном напряжении мала.