Выдержка из книги
Мелешкина Л.П.
Руководство к лабораторным работам по основам промышленной электроники
Согласно выражению ( 3) концентрацию неосновных носителей на границах p - n - перехода можно принять равной нулю уже при Иь 0 1 В. При дальнейшем увеличении иъ ( по абсолютному значению) распределение концентрации носителей вне p - n - перехода не изменяется, следовательно, вне р-л-перехода при изменении напряжения заряд не изменяется, поэтому диффузионная емкость при обратном напряжении мала.
