Неоднородное распределение дислокаций в объеме выращиваемого монокристалла вызывает появление разницы концентраций присутствующих СТД между областями ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа
Неоднородное распределение дислокаций в объеме выращиваемого монокристалла вызывает появление разницы концентраций присутствующих СТД между областями с различной плотностью стоков. В монокристаллах полупроводниковых соединений такое перераспределение приводит к формированию макронеоднородности по составу в пределах области гомогенности соединения, а в монокристаллах элементарных полупроводников - макронеоднородности по плотности вещества. Величина возникающей неоднородности зависит не только от величины разницы NU в различных участках кристалла, но и от абсолютных значений N. Перераспределение СТД между областями кристалла с разной N является основной причиной возникновения в нем характерной макронеоднородности в распределении электрофизических свойств, хорошо коррелирующей с характером распределения дислокаций.
