Из приведенного рассмотрения следует, что существует много способов взаимодействия электронов с длинноволновыми фононами. В табл. ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Ю П.N. Основы физики полупроводников


Из приведенного рассмотрения следует, что существует много способов взаимодействия электронов с длинноволновыми фононами. В табл. 3.4 показаны различные типы взаимодействий для двух типичных полупроводников, полярного ( GaAs) и неполярного ( Si), для электронов в нижней зоне проводимости или в верхних валентных зонах. Отметим, что в то время как ТА фонон может создать только сдвиговую деформацию, но не приводит к объемному расширению, с LA фононом может быть связано и то, и другое.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Из приведенного рассмотрения следует,  что существует много способов взаимодействия электронов с длинноволновыми фононами.  В табл. 3.4 показаны различные типы взаимодействий для двух типичных полупроводников,  полярного ( GaAs) и неполярного ( Si),  для электронов в нижней зоне проводимости или в верхних валентных зонах.  Отметим,  что в то время как ТА фонон может создать только сдвиговую деформацию,  но не приводит к объемному расширению,  с LA фононом может быть связано и то,  и другое.