Под действием внешней разности потенциалов V, приложенной к переходу в прямом направлении, высота потенциального барьера ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Епифанов Г.И. Физические основы микроэлектроники


Под действием внешней разности потенциалов V, приложенной к переходу в прямом направлении, высота потенциального барьера для основных носителей понижается на eV, вследствие чего из - области в р-область перетекает дополнительное ( по сравнению с равновесным состоянием перехода) число электронов, а из р-об-ласти в - область - дополнительное число дырок. Электроны, перешедшие в р-область, и дырки, перешедшие в - область, являются для э-тих областей неосновными носителями. Таким образом, внешнее поле, приложенное в прямом направлении, вызывает повышение концентрации неосновных носителей в - и / 7-областях полупроводника.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Под действием внешней разности потенциалов V, приложенной к переходу в прямом направлении, высота потенциального барьера для основных носителей понижается на eV, вследствие чего из - области в р-область перетекает дополнительное ( по сравнению с равновесным состоянием перехода) число электронов, а из р-об-ласти в - область - дополнительное число дырок. Электроны, перешедшие в р-область, и дырки, перешедшие в - область, являются для э-тих областей неосновными носителями. Таким образом, внешнее поле, приложенное в прямом направлении, вызывает повышение концентрации неосновных носителей в - и / 7-областях полупроводника.