Однако коэффициент распыления при давлениях выше 10 Па сильно уменьшается из-за обратной диффузии распыленных молекул ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа
Выдержка из книги
Черняев В.Н.
Технология производства интегральных микросхем
Однако коэффициент распыления при давлениях выше 10 Па сильно уменьшается из-за обратной диффузии распыленных молекул к мишени и лишь около 10 % распыленных атомов осаждается на подложке. Повышенные давления приводят к увеличению содержания газовых включений в пленке. Вероятность внедрения молекул газа в осаждаемую пленку в значительной мере зависит от их энергии и температуры подложки. Как правило, концентрация газовых примесей в пленке падает с ростом температуры подложки. Влияние реактивных составляющих ( О2, N2 и др.) остаточного газа на евойства осаждаемой пленки весьма велико, так как интенсивность бомбардировки поверхности пленки частицами газа в несколько раз больше, чем интенсивность бомбардировки распыляемыми частицами. Реактивные газы могут появиться в рабочей камере в результате натекания или обратной диффузии из откачной системы.