Однако коэффициент распыления при давлениях выше 10 Па сильно уменьшается из-за обратной диффузии распыленных молекул ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Черняев В.Н. Технология производства интегральных микросхем


Однако коэффициент распыления при давлениях выше 10 Па сильно уменьшается из-за обратной диффузии распыленных молекул к мишени и лишь около 10 % распыленных атомов осаждается на подложке. Повышенные давления приводят к увеличению содержания газовых включений в пленке. Вероятность внедрения молекул газа в осаждаемую пленку в значительной мере зависит от их энергии и температуры подложки. Как правило, концентрация газовых примесей в пленке падает с ростом температуры подложки. Влияние реактивных составляющих ( О2, N2 и др.) остаточного газа на евойства осаждаемой пленки весьма велико, так как интенсивность бомбардировки поверхности пленки частицами газа в несколько раз больше, чем интенсивность бомбардировки распыляемыми частицами. Реактивные газы могут появиться в рабочей камере в результате натекания или обратной диффузии из откачной системы.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Однако коэффициент распыления при давлениях выше 10 Па сильно уменьшается из-за обратной диффузии распыленных молекул к мишени и лишь около 10 % распыленных атомов осаждается на подложке.  Повышенные давления приводят к увеличению содержания газовых включений в пленке.  Вероятность внедрения молекул газа в осаждаемую пленку в значительной мере зависит от их энергии и температуры подложки.  Как правило,  концентрация газовых примесей в пленке падает с ростом температуры подложки.  Влияние реактивных составляющих ( О2,  N2 и др.) остаточного газа на евойства осаждаемой пленки весьма велико,  так как интенсивность бомбардировки поверхности пленки частицами газа в несколько раз больше,  чем интенсивность бомбардировки распыляемыми частицами.  Реактивные газы могут появиться в рабочей камере в результате натекания или обратной диффузии из откачной системы.