Ферми лежит вблизи верхней границы валентной зоны, при повышении температуры увеличивается расстояние уровня Ферми от ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Трофимов А.И. Физические основы генераторных измерительных и энергетических преобразователей


Ферми лежит вблизи верхней границы валентной зоны, при повышении температуры увеличивается расстояние уровня Ферми от верхней границы валентной зоны, а в полупроводниках гг-типа увеличивается расстояние уровня Ферми от нижней границы зоны проводимости. На рис. 4.3 а показано положение уровня Ферми и границ зон стержня полупроводника р-типа, один конец которого приведен в контакт с холодным, а другой - с нагретым металлом.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Ферми лежит вблизи верхней границы валентной зоны,  при повышении температуры увеличивается расстояние уровня Ферми от верхней границы валентной зоны,  а в полупроводниках гг-типа увеличивается расстояние уровня Ферми от нижней границы зоны проводимости.  На рис. 4.3 а показано положение уровня Ферми и границ зон стержня полупроводника р-типа,  один конец которого приведен в контакт с холодным,  а другой  -  с нагретым металлом.