Образование зародышей при химическом осаждении отличается от процесса зарождения при конденсации в вакууме тем, что ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Черняев В.Н. Технология производства интегральных микросхем


Образование зародышей при химическом осаждении отличается от процесса зарождения при конденсации в вакууме тем, что появляются дополнительные влияющие факторы. К ним относится наличие адсорбированного слоя более сложного состава, чем при конденсации в вакууме, и, главное, возможность более плавного регулирования степени пересыщения цутем изменения термодинамических и кинетических параметров химической реакции. Например, при осаждении эпитаксиальных пленок кремния можно в широких пределах менять степень пересыщения, регулируя режимы реакций осаждения и травления таким образом, чтобы общая скорость потока частиц на подложку / отвечала оптимальным условиям зарождения и роста эпитаксиальных слоев. Таких условий при осаждении вакуумным испарением практически достигнуть не удается, так как для этого температуру подложки нужно было бы поддерживать всего на 100 - 200 С ниже температуры испарения, а это технически трудно осуществимо для многих веществ.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Образование зародышей при химическом осаждении отличается от процесса зарождения при конденсации в вакууме тем, что появляются дополнительные влияющие факторы. К ним относится наличие адсорбированного слоя более сложного состава, чем при конденсации в вакууме, и, главное, возможность более плавного регулирования степени пересыщения цутем изменения термодинамических и кинетических параметров химической реакции. Например, при осаждении эпитаксиальных пленок кремния можно в широких пределах менять степень пересыщения, регулируя режимы реакций осаждения и травления таким образом, чтобы общая скорость потока частиц на подложку / отвечала оптимальным условиям зарождения и роста эпитаксиальных слоев. Таких условий при осаждении вакуумным испарением практически достигнуть не удается, так как для этого температуру подложки нужно было бы поддерживать всего на 100 - 200 С ниже температуры испарения, а это технически трудно осуществимо для многих веществ.