Для того чтобы в транзисторах, изготовленных с помощью двусторонней диффузии, уменьшить эффект оттеснения тока к ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Мазель Е.З. Мощные транзисторы Вып 22


Для того чтобы в транзисторах, изготовленных с помощью двусторонней диффузии, уменьшить эффект оттеснения тока к краю эмиттера, в них можно создавать в базовой области под эмиттерным переходом слой, легированный сильнее, чем остальная часть активной базы, но слабее, чем легированный слой у поверхности пассивной базы.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Для того чтобы в транзисторах,  изготовленных с помощью двусторонней диффузии,  уменьшить эффект оттеснения тока к краю эмиттера,  в них можно создавать в базовой области под эмиттерным переходом слой,  легированный сильнее,  чем остальная часть активной базы,  но слабее,  чем легированный слой у поверхности пассивной базы.