Для того чтобы в транзисторах, изготовленных с помощью двусторонней диффузии, уменьшить эффект оттеснения тока к ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа
Выдержка из книги
Мазель Е.З.
Мощные транзисторы Вып 22
Для того чтобы в транзисторах, изготовленных с помощью двусторонней диффузии, уменьшить эффект оттеснения тока к краю эмиттера, в них можно создавать в базовой области под эмиттерным переходом слой, легированный сильнее, чем остальная часть активной базы, но слабее, чем легированный слой у поверхности пассивной базы.