Из сказанного следует, что лазерное облучение полупроводников в условиях межзонного поглощения приводит к образованию точечных ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа
Выдержка из книги
Вавилов В.С.
Дефекты в кремнии и на его поверхности
Из сказанного следует, что лазерное облучение полупроводников в условиях межзонного поглощения приводит к образованию точечных дефектов в приповерхностной области кристалла при энергиях импульсов - ( 0 05 - 0 1) Wnop, где Wnop - порог плавления поверхности.
