На рис. 3 представлена зависимость концентрации свободных электронов в эпитаксиальных слоях арсенида галлия от парциального ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа
Выдержка из книги
Александров Л.И.
Процессы роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок Часть 1
На рис. 3 представлена зависимость концентрации свободных электронов в эпитаксиальных слоях арсенида галлия от парциального давления селена. Обращает на себя внимание большой разброс экспериментальных точек при малых уровнях легирования. Он обусловлен, по-видимому, непостоянством концентрации гидрида селена в газовой фазе либо в связи с адсорбцией на стенках аппаратуры, либо с частичным разложением.