На рис. 3 представлена зависимость концентрации свободных электронов в эпитаксиальных слоях арсенида галлия от парциального ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Александров Л.И. Процессы роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок Часть 1


На рис. 3 представлена зависимость концентрации свободных электронов в эпитаксиальных слоях арсенида галлия от парциального давления селена. Обращает на себя внимание большой разброс экспериментальных точек при малых уровнях легирования. Он обусловлен, по-видимому, непостоянством концентрации гидрида селена в газовой фазе либо в связи с адсорбцией на стенках аппаратуры, либо с частичным разложением.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

На рис. 3 представлена зависимость концентрации свободных электронов в эпитаксиальных слоях арсенида галлия от парциального давления селена.  Обращает на себя внимание большой разброс экспериментальных точек при малых уровнях легирования.  Он обусловлен,  по-видимому,  непостоянством концентрации гидрида селена в газовой фазе либо в связи с адсорбцией на стенках аппаратуры,  либо с частичным разложением.