Выдержка из книги
Гаркуша Ж.М.
Основы физики полупроводников
Величина критической напряженности поля составляет примерно 10 В / см. Поля, у которых напряженность меньше критического значения, называют слабыми, больше критического - сильными. Величина критической напряженности зависит от температуры. При рассеянии носителей заряда на тепловых колебаниях решетки критическая напряженность поля с ростом температуры увеличивается. Причина заключается в том, что с ростом температуры уменьшается длина свободного пробега носителей заряда, поэтому для того, чтобы носители могли приобрести скорость, большую тепловой, напряженность электрического поля нужно увеличивать.
