Последний эффект обусловлен наличием линий поглощения, соответствующих переходам с образованием экситонов. В некоторых полупроводниках линии ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Васильев А.А. Пространственные модуляторы света


Последний эффект обусловлен наличием линий поглощения, соответствующих переходам с образованием экситонов. В некоторых полупроводниках линии чрезвычайно интенсивны и узки, а в электрическом поле уширяются и исчезают при значении поля Е, которое зависит от параметров экситонов - эффективной массы, энергии связи. В / см уменьшается для сульфида кадмия в 2 3 раза, а в монокристаллах теллурида кадмия может достичь перепада в 100 и более раз.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Последний эффект обусловлен наличием линий поглощения, соответствующих переходам с образованием экситонов. В некоторых полупроводниках линии чрезвычайно интенсивны и узки, а в электрическом поле уширяются и исчезают при значении поля Е, которое зависит от параметров экситонов - эффективной массы, энергии связи. В / см уменьшается для сульфида кадмия в 2 3 раза, а в монокристаллах теллурида кадмия может достичь перепада в 100 и более раз.