Источником отклонения размеров, который труднее всего контролировать и регулировать, является расширение линий, обусловленное рассеянием света ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Майссела Л.N. Технология тонких пленок Часть 1


Источником отклонения размеров, который труднее всего контролировать и регулировать, является расширение линий, обусловленное рассеянием света на закрытых фотошаблоном участках. При хорошем регулировании продолжительности экспонирования и очень небольшом расстоянии между фотошаблоном и подложкой расширение линий зависит, главным образом, от толщины покрытия фоторезиста. Как установлено Тулумелло и Хардингом [123], ширина изменяется в пределах 1 мкм и менее для покрытий толщиной в 0 5 мкм и менее в случае использования фоторезистов AZ-1350 KTFR и KPR. Ширина линий в случае фоторезиста AZ-1350 не изменяется значительно, если толщина покрытия больше на несколько микрон. В случае же негативных фоторезистов увеличение ширины линий прямопропорционально увеличению толщины покрытия.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Источником отклонения размеров,  который труднее всего контролировать и регулировать,  является расширение линий,  обусловленное рассеянием света на закрытых фотошаблоном участках.  При хорошем регулировании продолжительности экспонирования и очень небольшом расстоянии между фотошаблоном и подложкой расширение линий зависит,  главным образом,  от толщины покрытия фоторезиста.  Как установлено Тулумелло и Хардингом [123],  ширина изменяется в пределах 1 мкм и менее для покрытий толщиной в 0 5 мкм и менее в случае использования фоторезистов AZ-1350 KTFR и KPR.  Ширина линий в случае фоторезиста AZ-1350 не изменяется значительно,  если толщина покрытия больше на несколько микрон.  В случае же негативных фоторезистов увеличение ширины линий прямопропорционально увеличению толщины покрытия.