Источником отклонения размеров, который труднее всего контролировать и регулировать, является расширение линий, обусловленное рассеянием света ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа
Выдержка из книги
Майссела Л.N.
Технология тонких пленок Часть 1
Источником отклонения размеров, который труднее всего контролировать и регулировать, является расширение линий, обусловленное рассеянием света на закрытых фотошаблоном участках. При хорошем регулировании продолжительности экспонирования и очень небольшом расстоянии между фотошаблоном и подложкой расширение линий зависит, главным образом, от толщины покрытия фоторезиста. Как установлено Тулумелло и Хардингом [123], ширина изменяется в пределах 1 мкм и менее для покрытий толщиной в 0 5 мкм и менее в случае использования фоторезистов AZ-1350 KTFR и KPR. Ширина линий в случае фоторезиста AZ-1350 не изменяется значительно, если толщина покрытия больше на несколько микрон. В случае же негативных фоторезистов увеличение ширины линий прямопропорционально увеличению толщины покрытия.