Выдержка из книги
Бергельсон И.Г.
Транзисторы, Параметры, методы измерений и испытаний
В связи с этим избыточный заряд неосновных носителей в насыщенном режиме в современных транзисторах может заполнять практически почти все области транзисторной структуры.
