Выдержка из книги
Сирота Н.Н.
Химическая связь в полупроводниках
В спектрах отражения ромбических кристаллов 80283 и 8Ьг8е3 ( рис. 2 и 3) в области 1 - 6 эв также находится абсолютный широкий максимум отражения со структурой в виде более слабых пиков. Положение вершины максимума при комнатной температуре меняется в зависимости от поляризации вследствие изменения интенсивности составляющих его пиков. При понижении температуры до 90 К происходит резкое обострение деталей структуры главного максимума, которая видна теперь в виде четких пиков отражения, обозначенных А-AT. Из простого сопоставления формы кривых видно, что спектры отражения этих кристаллов сильно поляризованы. Резкое отличие наблюдается в поляризациях EJ с и Е а. Поляризация Е Ь, не показанная на рисунках, структурно совпадает с поляризацией Е а. Вблизи края поглощения находится сильный пик А, хорошо заметный и при комнатной температуре. Этот пик поляризован: он ясно виден в поляризациях Е а и Е Ь и почти отсутствует в поляризации Е с. Пик AI заметно смещается в сторону больших энергий при понижении температуры. При более высоких энергиях находятся два близких пика Л2 и А3, присутствующие во всех поляризациях, однако с разной относительной интенсивностью. Пик Л3 в поляризациях ЕУа и Е Ь значительно слабее, чем в поляризации Е с. Оценить изменение интенсивности пика Л2 при смене поляризации трудно из-за близкого соседства Л3; вероятно, его интенсивность почти не изменяется. Два интенсивных пика Л4 и А5 также близко расположены по энергиям и очень четко выражены. Оба пика поляризованы: пик Л4 почти отсутствует в поляризациях Е а и Е Ь, а пик Л5 значительно ослаблен в поляризации Е1 с.
