На рис. 5 приведено распределение концентрации примесей в затворе, канале и подложке эпитаксиально-то полевого транзистора. ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа
Выдержка из книги
Федотов Я.А.
Полупроводниковые приборы и их применение Выпуск 26
На рис. 5 приведено распределение концентрации примесей в затворе, канале и подложке эпитаксиально-то полевого транзистора. На рисунке приняты следующие обозначения: N s - поверхностная концентрация примесей при диффузии под верхний затвор, V s - концентрация примесей в подложке на границе эпитакси-ального слоя, W - толщина эпитакеиального слоя.
