Атомы примесей сосредоточены в узком приповерхностном слое. Для окончательного формирования диффузионного слоя введенную примесь подвергают ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Аваев Н.А. Основы микроэлектроники


Атомы примесей сосредоточены в узком приповерхностном слое. Для окончательного формирования диффузионного слоя введенную примесь подвергают перераспределению на втором этапе, называемом разгонкой примесей. Подачу диффузанта прекращают, примеси распространяются вглубь при N const, поверхностная концентрация WnoB уменьшается, а толщина слоя возрастает.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

 Атомы примесей сосредоточены в узком приповерхностном слое.  Для окончательного формирования диффузионного слоя введенную примесь подвергают перераспределению на втором этапе,  называемом разгонкой примесей.  Подачу диффузанта прекращают,  примеси распространяются вглубь при N const,  поверхностная концентрация WnoB уменьшается,  а толщина слоя возрастает.