Атомы примесей сосредоточены в узком приповерхностном слое. Для окончательного формирования диффузионного слоя введенную примесь подвергают ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа
Выдержка из книги
Аваев Н.А.
Основы микроэлектроники
Атомы примесей сосредоточены в узком приповерхностном слое. Для окончательного формирования диффузионного слоя введенную примесь подвергают перераспределению на втором этапе, называемом разгонкой примесей. Подачу диффузанта прекращают, примеси распространяются вглубь при N const, поверхностная концентрация WnoB уменьшается, а толщина слоя возрастает.