Выдержка из книги
Чопра К.N.
Тонкопленочные солнечные элементы
Формирующийся на поверхности Cu S слой Ct O или СиО снижает скорость рекомбинации носителей, что приводит к возрастанию фототока. Уменьшение фототока элементов ( при неизменном значении Voc), наблюдаемое при чрезмерном нагреве, объясняется либо ослаблением электрического поля на границе раздела вследствие перекомпенсации и значительного расширения области пространственного заряда, либо изменением фазового состояния CuxS из-за дефицита меди. Несоответствие параметров кристаллических решеток Cu2S и CdS является причиной появления механических напряжений в области границы раздела, а также упругих напряжений, простирающихся в объем структуры, под влиянием которых образуются энергетические уровни в запрещенной зоне. Объемные механические напряжения, по-видимому, компенсируются полями упругих напряжений дислокаций, возникающих в области границы раздела в процессе термообработки.
