Омические контакты к n - области создавали вплавлением сплава Аи - Та либо Ni - ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Францевич И.Н. Карбид кремния


Омические контакты к n - области создавали вплавлением сплава Аи - Та либо Ni - W. Контакты к диффузионному слою были изготовлены вжиганием серебряной пасты при t s 500 С. Обратное напряжение равно 10 - 25 б при токе 10 - 100 мка. Хотя прямые падения данных диодов относительно невелики, однако наличие последовательного сопротивления величиной 20 - 100 ом нельзя объяснить сопротивлением исходного кристалла n - типа и, тем более, сопротивлением диффузионного слоя. Для появления его необходимо предположить наличие слоя повышенного удельного сопротивления.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

 Омические контакты к n - области создавали вплавлением сплава Аи  -  Та либо Ni  -  W.  Контакты к диффузионному слою были изготовлены вжиганием серебряной пасты при t s 500 С.  Обратное напряжение равно 10 - 25 б при токе 10 - 100 мка.  Хотя прямые падения данных диодов относительно невелики,  однако наличие последовательного сопротивления величиной 20 - 100 ом нельзя объяснить сопротивлением исходного кристалла n - типа и,  тем более,  сопротивлением диффузионного слоя.  Для появления его необходимо предположить наличие слоя повышенного удельного сопротивления.