Омические контакты к n - области создавали вплавлением сплава Аи - Та либо Ni - W. Контакты к диффузионному слою были изготовлены вжиганием серебряной пасты при t s 500 С. Обратное напряжение равно 10 - 25 б при токе 10 - 100 мка. Хотя прямые падения данных диодов относительно невелики, однако наличие последовательного сопротивления величиной 20 - 100 ом нельзя объяснить сопротивлением исходного кристалла n - типа и, тем более, сопротивлением диффузионного слоя. Для появления его необходимо предположить наличие слоя повышенного удельного сопротивления.