Ширина запрещенной зоны в пленках на основе этилена оказывается больше, так как концентрация атомов углерода ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Хамакава И.N. Аморфные полупроводники и приборы на их основе


Ширина запрещенной зоны в пленках на основе этилена оказывается больше, так как концентрация атомов углерода в исходной газовой смеси выше, чем в газовой смеси на основе метана. Особенно интересным является то, что оптическая ширина запрещенной зоны в пленках a - Sii xCx: Н, легированных бором и осажденных из газовой смеси на основе этилена состава х 0 5, больше ширины запрещенной зоны нелегированных пленок, а при х 0 5 - меньше. Концентрация атомов водорода, присоединенных к кремнию от легирования бором не зависит. Легирование бором оказывает влияние на число связей атомов водорода с атомами углерода.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Ширина запрещенной зоны в пленках на основе этилена оказывается больше,  так как концентрация атомов углерода в исходной газовой смеси выше,  чем в газовой смеси на основе метана.  Особенно интересным является то,  что оптическая ширина запрещенной зоны в пленках a - Sii xCx:  Н,  легированных бором и осажденных из газовой смеси на основе этилена состава х 0 5,  больше ширины запрещенной зоны нелегированных пленок,  а при х 0 5  -  меньше.  Концентрация атомов водорода,  присоединенных к кремнию от легирования бором не зависит.  Легирование бором оказывает влияние на число связей атомов водорода с атомами углерода.