Важным показателем качества технологии и конструкции является плотность элементов на кристалле-число элементов, приходящихся на единицу ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Аваев Н.А. Основы микроэлектроники


Важным показателем качества технологии и конструкции является плотность элементов на кристалле-число элементов, приходящихся на единицу его площади. Для повышения плотности элементов применяют метод совмещения: некоторые области полупроводникового слоя используют для выполнения нескольких ( обычно двух) функций, например базы биполярного п-р - п транзистора и коллектора р-п - р транзистора, стоковой области одного МДП-транзистора и истоковой области другого. С этой же целью проводятся исследования и разработки трехмерных структур: элементы изготавливают в нескольких ( обычно двух) слоях кремния, разделенных диэлектрическими прослойками, или создают канавки в кремниевой подложке и формируют элементы на их боковых поверхностях.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Важным показателем качества технологии и конструкции является плотность элементов на кристалле-число элементов, приходящихся на единицу его площади. Для повышения плотности элементов применяют метод совмещения: некоторые области полупроводникового слоя используют для выполнения нескольких ( обычно двух) функций, например базы биполярного п-р - п транзистора и коллектора р-п - р транзистора, стоковой области одного МДП-транзистора и истоковой области другого. С этой же целью проводятся исследования и разработки трехмерных структур: элементы изготавливают в нескольких ( обычно двух) слоях кремния, разделенных диэлектрическими прослойками, или создают канавки в кремниевой подложке и формируют элементы на их боковых поверхностях.