Выдержка из книги
БончБруевич В.Л.
Сборник задач по физике полупроводников
При изгибе зон вверх ( вниз) в полупроводнике р-типа ( re - типа) концентрация основных носителей заряда - дырок ( электронов) вблизи поверхности увеличивается, образуется обогащенный дырками ( электронами) слой. При изгибе зон вниз ( вверх) в полупроводнике / г-типа ( п-тн-па) происходит уменьшение концентрации основных носителей заряда - образование обедненного слоя. В последнем случае, если изгиб зон достаточно велик ( как правило, больше Ее / 2), вблизи поверхности возникает слон, концентрация электронов ( дырок) в котором может стать заметной. Слой вблизи поверхности, проводимость которого сравнима с проводимостью в объеме полупроводника или превосходит ее и создается электронами ( дырками) в полупроводниках р-типа ( - типа), называется инверсионным.
