Как видно на рис. 3.9, структура транзисторов реальных БИС отличается от схематичного изображения транзистора на ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Сугайто Т.N. Введение в микроэлектронику


Как видно на рис. 3.9, структура транзисторов реальных БИС отличается от схематичного изображения транзистора на рис. 3.8. Это обусловлено планарной технологией их изготовления, а также применением методов эпитаксии, диффузии и ионной имплантации. Участок, выделенный пунктиром на рис. 3.9, соответствует активной области транзистора, изображенного на рис. 3.8. Остальные участки структуры являются паразитными элементами транзистора.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Как видно на рис. 3.9, структура транзисторов реальных БИС отличается от схематичного изображения транзистора на рис. 3.8. Это обусловлено планарной технологией их изготовления, а также применением методов эпитаксии, диффузии и ионной имплантации. Участок, выделенный пунктиром на рис. 3.9, соответствует активной области транзистора, изображенного на рис. 3.8. Остальные участки структуры являются паразитными элементами транзистора.