Из общестатистических соображений ясно, что даже при строго стехиометрическом составе кристалла концентрации электронных дефектов отличны ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа
Выдержка из книги
Чеботин В.Н.
Физическая химия твердого тела
Из общестатистических соображений ясно, что даже при строго стехиометрическом составе кристалла концентрации электронных дефектов отличны от нуля. Концентрации обоих типов электронных дефектов равны друг другу при некотором определенном составе, близком к стехиометричеокому, и сильно изменяются при смещении в обе стороны от стехиометрического состава. Если парциальное давление неметалла в газовой фазе Рх2 значительно превышает величину Рстех, отвечающую стехио-метрическому составу, доминирующими реакциями, определяющими характер электронной разупорядоченности, являются реакции поглощения сверхстехиометрического неметалла ( 5.50 а) или ( 5.50 г), приводящие к появлению дырок в валентной зоне кристалла. Напротив, при давлениях, значительно меньше Рстех, доминирующими являются реакции (5.506) и ( 5.50 в), приводящие к потере неметалла и появлению электронов в зоне проводимости.