Эти приборы формируются в эпитаксиальных пленках кремния, выращенных на сапфире. Хорошие ВЧ свойства достигаются за ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Куликовский А.А. Справочник по элементам радиоэлектронных устройств


Эти приборы формируются в эпитаксиальных пленках кремния, выращенных на сапфире. Хорошие ВЧ свойства достигаются за счет уменьшения размеров элементов структуры и отсутствия паразитных емкостей относительно подложки. Емкости внутренней обратной связи в этом случае также малы.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Эти приборы формируются в эпитаксиальных пленках кремния,  выращенных на сапфире.  Хорошие ВЧ свойства достигаются за счет уменьшения размеров элементов структуры и отсутствия паразитных емкостей относительно подложки.  Емкости внутренней обратной связи в этом случае также малы.