Эти приборы формируются в эпитаксиальных пленках кремния, выращенных на сапфире. Хорошие ВЧ свойства достигаются за ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа
Выдержка из книги
Куликовский А.А.
Справочник по элементам радиоэлектронных устройств
Эти приборы формируются в эпитаксиальных пленках кремния, выращенных на сапфире. Хорошие ВЧ свойства достигаются за счет уменьшения размеров элементов структуры и отсутствия паразитных емкостей относительно подложки. Емкости внутренней обратной связи в этом случае также малы.
