Выдержка из книги
Куликовский А.А.
Справочник по элементам радиоэлектронных устройств
Толщина эпитаксиального слоя составляет 1 мкм. После осаждения окисла SiO2 толщиной 1 мкм из эпитаксиального слоя формируют мезаструк-туру ( пьедестал) путем удаления лишней части эпитаксиальной пленки, не используемой для изготовления транзистора. Формирование канала и затвора включает в себя следующие операции: вскрытие окна в виде канавки с расстоянием между стенками 2 - 4 мкм, осаждение тонкого окисла ( 0 05 - 0 12 мкм) и поликристаллического кремния затвора. Для получения тонких / - областей истока и стока производится вытравливание окон в слое SiC2 и осаждается новый окисел, легированный примесью р-типа. Этот слой окисла служит дозированным источником диффузанта при выполнении операции диффузии и формировании / - областей.