Толщина эпитаксиального слоя составляет 1 мкм. После осаждения окисла SiO2 толщиной 1 мкм из эпитаксиального ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Куликовский А.А. Справочник по элементам радиоэлектронных устройств


Толщина эпитаксиального слоя составляет 1 мкм. После осаждения окисла SiO2 толщиной 1 мкм из эпитаксиального слоя формируют мезаструк-туру ( пьедестал) путем удаления лишней части эпитаксиальной пленки, не используемой для изготовления транзистора. Формирование канала и затвора включает в себя следующие операции: вскрытие окна в виде канавки с расстоянием между стенками 2 - 4 мкм, осаждение тонкого окисла ( 0 05 - 0 12 мкм) и поликристаллического кремния затвора. Для получения тонких / - областей истока и стока производится вытравливание окон в слое SiC2 и осаждается новый окисел, легированный примесью р-типа. Этот слой окисла служит дозированным источником диффузанта при выполнении операции диффузии и формировании / - областей.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Толщина эпитаксиального слоя составляет 1 мкм.  После осаждения окисла SiO2 толщиной 1 мкм из эпитаксиального слоя формируют мезаструк-туру ( пьедестал) путем удаления лишней части эпитаксиальной пленки,  не используемой для изготовления транзистора.  Формирование канала и затвора включает в себя следующие операции:  вскрытие окна в виде канавки с расстоянием между стенками 2 - 4 мкм,  осаждение тонкого окисла ( 0 05 - 0 12 мкм) и поликристаллического кремния затвора.  Для получения тонких / - областей истока и стока производится вытравливание окон в слое SiC2 и осаждается новый окисел,  легированный примесью р-типа.  Этот слой окисла служит дозированным источником диффузанта при выполнении операции диффузии и формировании / - областей.