Например, с увеличением концентрации акцепторной примеси в инжекторе эффективность инжектора возрастает. Как и следовало ожидать, ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа
Выдержка из книги
Валиев К.А.
Полупроводниковые интегральные схемы памяти на биполярных транзисторных структурах
Например, с увеличением концентрации акцепторной примеси в инжекторе эффективность инжектора возрастает. Как и следовало ожидать, для инжекционных структур с меньшим расстоянием между инжектором и базой коэффициент apw выше, но изготовление горизонтальных транзисторов с воспроизводимым расстоянием между областями р-типа меньше, чем 3 мкм, затруднительно.
