Следующая операция - окисление поверхности и травление окон для изолирующей диффузии, которая по завершении будет ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа
Выдержка из книги
Черняев В.Н.
Технология производства интегральных микросхем
Следующая операция - окисление поверхности и травление окон для изолирующей диффузии, которая по завершении будет состоять из замкнутых участков / - типа, простирающихся от поверхности кремния через эпитаксиальный слой n - типа к подложке исходного материала р-типа. После этой операции эпитаксиальные слои - типа будут изолированы друг от друга областями р-типа: подложкой р-типа снизу и изоляционной р - об-ластью по сторонам.
