Установлено, что для полупроводниковых БИС наиболее вероятными причинами брака ( отказов) являются случайные дефекты трех ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Козырь И.Я. Качество и надежность интегральных микросхем. Сер. Микроэлектроника. Кн.5


Установлено, что для полупроводниковых БИС наиболее вероятными причинами брака ( отказов) являются случайные дефекты трех типов: начальный пробой ( прокол) слоев SiO2, утечки токов р-л-переходов, дефекты фотолитографии. Разработанная теория прогнозирования выхода годных ИМС не зависит от конкретного типа дефекта при случайном характере его проявления.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Установлено,  что для полупроводниковых БИС наиболее вероятными причинами брака ( отказов) являются случайные дефекты трех типов:  начальный пробой ( прокол) слоев SiO2,  утечки токов р-л-переходов,  дефекты фотолитографии.  Разработанная теория прогнозирования выхода годных ИМС не зависит от конкретного типа дефекта при случайном характере его проявления.