Установлено, что для полупроводниковых БИС наиболее вероятными причинами брака ( отказов) являются случайные дефекты трех ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа
Выдержка из книги
Козырь И.Я.
Качество и надежность интегральных микросхем. Сер. Микроэлектроника. Кн.5
Установлено, что для полупроводниковых БИС наиболее вероятными причинами брака ( отказов) являются случайные дефекты трех типов: начальный пробой ( прокол) слоев SiO2, утечки токов р-л-переходов, дефекты фотолитографии. Разработанная теория прогнозирования выхода годных ИМС не зависит от конкретного типа дефекта при случайном характере его проявления.