В реальных приборах на поверхность полупроводника наносятся тонкие диэлектрические пленки и производится специальная термическая обработка ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа
В реальных приборах на поверхность полупроводника наносятся тонкие диэлектрические пленки и производится специальная термическая обработка с целью улучшения и стабилизации параметров приборов, а также защиты поверхности. Например, в кремниевых и некоторых арсенид-галлиевых планар-ных приборах и интегральных схемах поверхность покрыта слоем оксида ( SiO2) толщиной в десятые доли микрона. При этом возможно снижение плотности ловушек до 1010 см-2 в кремнии и 1012 - 1013см - 3 в арсениде галлия. Поверхностный заряд, обусловленный ловушками, непостоянен, так как число заряженных ловушек изменяется в зависимости от напряженности электрического поля, потенциала и концентрации носителей у поверхности.
