В полевом транзисторе почти все напряжение стока падает на короткую перекрытую часть канала. Поэтому второй ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Пасынков В.В. Полупроводниковые приборы Издание 2


В полевом транзисторе почти все напряжение стока падает на короткую перекрытую часть канала. Поэтому второй участок статических вольт-амперных характеристик полевого транзистора, когда происходит насыщение, связан также с уменьшением удельной проводимости материала канала из-за уменьшения подвижности носителей.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

В полевом транзисторе почти все напряжение стока падает на короткую перекрытую часть канала.  Поэтому второй участок статических вольт-амперных характеристик полевого транзистора,  когда происходит насыщение,  связан также с уменьшением удельной проводимости материала канала из-за уменьшения подвижности носителей.