Наиболее широко используется для определения структуры метод вращения кристалла. В этом методе используется монохроматическое рентгеновское ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Аверко-Антонович И.Ю. Методы исследования структуры и свойств полимеров


Наиболее широко используется для определения структуры метод вращения кристалла. В этом методе используется монохроматическое рентгеновское излучение, а в качестве исследуемого образца - монокристалл. При вращении кристалла вокруг какой-либо оси рентгеновские лучи, направленные перпендикулярно к этой оси, в определенный момент оказываются по отношению к некоторым плоскостям кристалла в положении, при котором выполняется формула Вульфа - Брэгга, В этом случае возникает дифрагированный рентгеновский луч, который приводит к появлению пятна ( рефлекса) на цилиндрической фотопленке, ось которой совпадает с осью вращения кристалла. На фотопленке рефлексы располагаются по слоевым линиям, перпендикулярным оси вращения. Слоевая линия, проходящая через след от первичного пучка рентгеновских лучей, называется нулевой; расстояние между слоевыми линиями зависит от расстояния между идентичными рассеивающими центрами, расположенными вдоль оси вращения кристалла.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Наиболее широко используется для определения структуры метод вращения кристалла.  В этом методе используется монохроматическое рентгеновское излучение,  а в качестве исследуемого образца  -  монокристалл.  При вращении кристалла вокруг какой-либо оси рентгеновские лучи,  направленные перпендикулярно к этой оси,  в определенный момент оказываются по отношению к некоторым плоскостям кристалла в положении,  при котором выполняется формула Вульфа  -  Брэгга,  В этом случае возникает дифрагированный рентгеновский луч,  который приводит к появлению пятна ( рефлекса) на цилиндрической фотопленке,  ось которой совпадает с осью вращения кристалла.  На фотопленке рефлексы располагаются по слоевым линиям,  перпендикулярным оси вращения.  Слоевая линия,  проходящая через след от первичного пучка рентгеновских лучей,  называется нулевой;  расстояние между слоевыми линиями зависит от расстояния между идентичными рассеивающими центрами,  расположенными вдоль оси вращения кристалла.