Q) соответствует большее значение величины критического радиуса и, при прочих равных условиях, более высокое значение ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа
Выдержка из книги
Гимпельсон В.Д.
Тонкопленочные микросхемы для приборостроения и вычислительной техники
Q) соответствует большее значение величины критического радиуса и, при прочих равных условиях, более высокое значение критической скорости нанесения. Одновременно это означает, что пленки тугоплавких металлов, характеризующиеся малыми значениями критического радиуса зародыша, образуют электрически сплошную проводящую структуру в более тонких слоях, поскольку характерная для них высокая плотность зародышей на поверхности подложки при равном количестве конденсированного вещества создает необходимые условия для туннельной и термоэмиссионной проводимости.
